利用電晶體實作 60GHz 單刀雙擲切換器

摘要：利用 WIN GaAs pHEMT 0.15um 製程,透過電晶體的導通與截止之特性,運用適當匹配來實現 60GHz 單刀雙擲切換器。

作者：陳緯晉

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PP15 製程以 ADS 簡易模擬操作在 38 GHz 之功率放大器

摘要：本文主要為設計一操作在 38 GHz 之功率放大器,用WIN PP15 的製成。5G 現在的崛起,其頻段相當多,但以目前能搜尋到的文章卻很少,主要是因為 5G 尚在開發中,而 38GHz 被
選為工研院 5G 計畫的操作頻段,學生以 ADS 簡易模擬在選定的38 GHz 之功率放大器。此次報告分為三個部分,第一部分是介紹電路,第二部分為電路設計之方法步驟與模擬結果,第三部分為總結。

作者：李易典

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以 pHEMT 0.15 μm 製程設計 28 GHz 之帶止濾波器

摘要：本文使用 Advanced Design System(ADS) 模擬軟體來設計一個 pHEMT 0.15 μm 製程製造工作於 28 GHz 之雛型帶止濾波器(BSF),並探討其與傳統 notch 結構的差異與設計一個中心頻為 28 GHz,3-dB 百分比頻寬為 50%,並且提供三個傳輸零點(Transmission zero)之寬頻帶止濾波器的方法。

作者：楊杰軒

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60GHz 單一輸入八輸出威爾金森功率分配器一階以及三階設計比較

摘要—本論文主要是針對操作頻率為 60GHz,製程為 WIN GaAs pHEMT 0.15μm,提供兩種單一輸入八個輸出的威爾金森功率分配器之設計方法,分別為輸入直接對應八條四分之一波長傳輸線和以一般一對二威爾金森功率分配器做成三階。設計完成後將其電路結構以及模擬 S參數比較,並分析出其特性,判斷其優缺點。

作者：王致凱

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pHEMT 0.15 μm 製程下設計 60 GHz SPST & SPDT Switch

摘要—本文以 pHEMT 0.15 μm 製程的二極體來設計開關,操作頻率為 60 GHz,先設計 SPST Switch 之後,再利用二個 SPST Switch組成一個 SPDT Switch,使用 Advanced Design System(ADS) 進行電路模擬及 Layout,最後探討其模擬結果及特性。

作者：塗宗翰

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以 pHEMT 0.15um 製程設計 28 GHz 振盪器

摘要：在射頻系統中,不論是接收機或是在發射機中,振盪器是最基本也是不可或缺的電路之一,它負責產生本地訊號將訊號升頻或是降頻,在此篇文章中,電路震盪的頻率選在28 GHz,也就是現今第五代行動通訊的頻段。

作者：邱譯權

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注入鎖定實現二倍頻器

摘要—本文以注入鎖定方式搭配差動電路,實現出一個具有良好特性的二倍頻器;利用注入鎖定方式,使得輸出頻率能夠穩穩地在二倍頻上輸出;而其中搭配了差動電路的特性:奇次相諧波能夠相消、偶次相諧波能夠相長,進而增加二倍頻器的奇次諧波抑制能力。此電路的實現方式是利用穩懋的 PP15 製程技術,輸出頻率為20GHz,輸入頻率為 10GHz,輸入最小電壓振福為 0.1V。

作者：李穎松

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