摘要：本文主要內容為設計於台積電CMOS 0.18 um製成之15GHz 雙平衡MOSFET降頻混頻器(Gilbert Cell Mixer)。文中首先介紹雙平衡MOSFET混頻器(Gilbert Cell Mixer)之基本原理,接著敘述混頻器之電路架構,並且說明混頻器之設計步驟以及流程,最後完成雙平衡MOSFET降頻混頻器之電路模擬,將模擬結果整理出來並討論之。
2015年1月3日 星期六
CMOS 0.18μm製程之雙平衡 MOSFET 降頻混頻器(Gilbert Cell Mixer 架構)之實現
作者：鄭惟中
摘要：本文主要內容為設計於台積電CMOS 0.18 um製成之15GHz 雙平衡MOSFET降頻混頻器(Gilbert Cell Mixer)。文中首先介紹雙平衡MOSFET混頻器(Gilbert Cell Mixer)之基本原理,接著敘述混頻器之電路架構,並且說明混頻器之設計步驟以及流程,最後完成雙平衡MOSFET降頻混頻器之電路模擬,將模擬結果整理出來並討論之。
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摘要：本文主要內容為設計於台積電CMOS 0.18 um製成之15GHz 雙平衡MOSFET降頻混頻器(Gilbert Cell Mixer)。文中首先介紹雙平衡MOSFET混頻器(Gilbert Cell Mixer)之基本原理,接著敘述混頻器之電路架構,並且說明混頻器之設計步驟以及流程,最後完成雙平衡MOSFET降頻混頻器之電路模擬,將模擬結果整理出來並討論之。
2013年1月4日 星期五
本地振盪差動單平衡型降頻混波器電路設計
作者：高宏瑋
授課老師：蔡作敏
摘要：在無線通訊模組中混波器常扮演將載波升頻或降頻的元件，任何的非線性作用都可以被拿來作為混波器設計用：在雙極性接面電晶體中，因集極的電流與基極的電流，是呈現指數的關係，由於指數函數是非線性的函數，故當兩個頻率不同的訊號從基極灌入時，會有混波的行為產生。二極體的電壓電流關係也呈現指數的關係，故也會有混波的行為產生。場效電晶體電路，其汲極電流與閘極電壓是呈現平方的關係的，故當兩個頻率不同的訊號從閘極灌入時，會有混頻的行為產生。本文章將說明混波器的各重要參數及模擬方法和工作原理，並且示範使用二極體和180度分合波器完成一個本地振盪差動單平衡型降頻混波器。
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