2019年1月7日 星期一

以 pHEMT 0.15 μm 製程設計雙頻帶通濾波器


摘要:本文使用 pHEMT 0.15 μm 製程設計頻帶在 6.6GHz 與13.2GHz 且頻寬為 15%之微波雙頻帶通濾波器。本文濾波器分析部分使用兩種分析方式,分別為傳輸零點分析與通帶頻率位置分析,進行頻寬與頻帶比之調控以達到設計目標。但頻寬與頻帶比之調控公式稍微複雜,如要求得精確值需使用軟體計算,因此本文設計時依照公式中的變數(傳輸線阻抗值)進行微調以達到設計目標。就最後將設計結果以 ADS 軟體進行電路模擬,並探討模擬結果與特性。

作者:廖浚翔

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以 pHEMT 0.15 μm 製程設計寬頻 180。相移器


摘要:本文使用 pHEMT 0.15 μm 製程設計頻率範圍在 4 GHz 至 16 GHz 之超寬頻 180。相移器。這是一個特別的想法,利用電阻的阻抗差異來進行通過耦合線之路徑選擇,唯此電路缺點是使用了電阻具損耗的元件,在使用製程設計時其饋入損耗就有 4.1dB之多,且電路在 layout 時因電阻尺寸差大多不易擺放,需要再全面調整。第一部分是相移器介紹;第二部分是使用理想電路模擬文章作者所提出的相移器架構;第三部分是使用 pHEMT 0.15 μm 製程模擬所提出相移器,並分析模擬結果。

作者:廖浚翔

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在 0.15 μm 製程下三種頻率 Bias Tee 電路參數與比較


摘要:本篇論文探討在 0.15 um 製程下三種頻率 10 GHz、50 GHz、90 GHz Bias Tee 電路參數與比較,文章主要分為簡介、RF 電路、DC 電路、模擬結果與結論。

作者:鄭宇翔

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pHEMT0.15um 設計 30-50G 增益 20db 以上之 LNA


摘要:使用 pHEMT0.15um 版本為(Rev1.3.14.17.16)之半導體製程計出高平坦度(正負 1db 內),增益 20db 以上,noise figure低於 3db 之 LNA,所選的裝置為根數 4、寬度 50ugw 的電晶體,採用的設計方法是以傳輸線、電容進行匹配,運用 inter stage 的技巧使之平坦,並使用三級,因單級做到 maxgain總是會斜斜的,且窄頻又陡峭,通過多級的方式及反射係數的控制跟 inter stage的概念來實現 50%頻寬且平坦度又好的增益。此電路運用於天文接收機系統之 LNA,整個系統是一個回授系統且包含兩個 LNA。

作者:

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2019年1月6日 星期日

以pHEMT 0.15 μm製程設計28 GHz 之一輸入三埠輸出 Wilkinson Power Divider


摘要:功率分配器在系統中佔了非常重要的角色,其中以威爾金森功率分配器最廣為人知,2^n 輸出埠的功率分配器架構簡單又容易實現,但是現實中可能會用到非 2^n 輸出埠,本文藉由Advanced Design System 電路模擬軟體,對等功率分配器與不等功率分配器做個基本的介紹與比較,並試做以 28GHz 為中心頻率的三埠輸出威爾金森功率分配器,Layout 的模擬結果與理想模擬結果相差不遠,不管是反射係數、損耗係數,三埠輸出功率分配器功率損耗為-5dB,因為三埠輸出需要使用到二階,所以在製成上將電路做彎折來縮小尺寸。

作者:胡宸毓

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使用 pHEMT 0.15μm 設計 Wideband Bandstop Filter With Extreme Sharp Skirt Selectivity


摘要:本論文預期設計一個使用 WIN pHEMT 0.15μm 製成設計的寬頻帶帶通濾波器。此電路的中心頻率欲設在 60GHz,其中帶阻頻帶的頻帶響應,伴隨著多個極點。此濾波器帶阻頻帶邊緣具有非常陡峭的斜率,所以此通帶具有極高的選擇性。從S 參數圖形看上來,形狀看起來像裙擺一樣,所以又被稱為 Sharp Skirt Selectivity。


作者:王致凱

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在 0.15 μm 製程下 Bias Tee 之設計原理與方法


摘要:本篇論文介紹在 0.15 um 製程下 bias tee 的設計原理與方法,文章主要分為五個部分,分別為電路的基本介紹、電路架構、RF 端電路設計、DC 端電路設計以及結論。

作者:鄭宇翔


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利用電晶體實作 60GHz 單刀雙擲切換器


摘要:利用 WIN GaAs pHEMT 0.15um 製程,透過電晶體的導通與截止之特性,運用適當匹配來實現 60GHz 單刀雙擲切換器。

作者:陳緯晉

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PP15 製程以 ADS 簡易模擬操作在 38 GHz 之功率放大器


摘要:本文主要為設計一操作在 38 GHz 之功率放大器,用WIN PP15 的製成。5G 現在的崛起,其頻段相當多,但以目前能搜尋到的文章卻很少,主要是因為 5G 尚在開發中,而 38GHz 被
選為工研院 5G 計畫的操作頻段,學生以 ADS 簡易模擬在選定的38 GHz 之功率放大器。此次報告分為三個部分,第一部分是介紹電路,第二部分為電路設計之方法步驟與模擬結果,第三部分為總結。

作者:李易典

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以 pHEMT 0.15 μm 製程設計 28 GHz 之帶止濾波器

摘要:本文使用 Advanced Design System(ADS) 模擬軟體來設計一個 pHEMT 0.15 μm 製程製造工作於 28 GHz 之雛型帶止濾波器(BSF),並探討其與傳統 notch 結構的差異與設計一個中心頻為 28 GHz,3-dB 百分比頻寬為 50%,並且提供三個傳輸零點(Transmission zero)之寬頻帶止濾波器的方法。

作者:楊杰軒

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2019年1月4日 星期五

60GHz 單一輸入八輸出威爾金森功率分配器一階以及三階設計比較

摘要—本論文主要是針對操作頻率為 60GHz,製程為 WIN GaAs pHEMT 0.15μm,提供兩種單一輸入八個輸出的威爾金森功率分配器之設計方法,分別為輸入直接對應八條四分之一波長傳輸線和以一般一對二威爾金森功率分配器做成三階。設計完成後將其電路結構以及模擬 S參數比較,並分析出其特性,判斷其優缺點。

作者:王致凱

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pHEMT 0.15 μm 製程下設計 60 GHz SPST & SPDT Switch

摘要—本文以 pHEMT 0.15 μm 製程的二極體來設計開關,操作頻率為 60 GHz,先設計 SPST Switch 之後,再利用二個 SPST Switch組成一個 SPDT Switch,使用 Advanced Design System(ADS) 進行電路模擬及 Layout,最後探討其模擬結果及特性。

作者:塗宗翰

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以 pHEMT 0.15um 製程設計 28 GHz 振盪器


摘要:在射頻系統中,不論是接收機或是在發射機中,振盪器是最基本也是不可或缺的電路之一,它負責產生本地訊號將訊號升頻或是降頻,在此篇文章中,電路震盪的頻率選在28 GHz,也就是現今第五代行動通訊的頻段。

作者:邱譯權

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2018年12月27日 星期四

注入鎖定實現二倍頻器

摘要—本文以注入鎖定方式搭配差動電路,實現出一個具有良好特性的二倍頻器;利用注入鎖定方式,使得輸出頻率能夠穩穩地在二倍頻上輸出;而其中搭配了差動電路的特性:奇次相諧波能夠相消、偶次相諧波能夠相長,進而增加二倍頻器的奇次諧波抑制能力。此電路的實現方式是利用穩懋的 PP15 製程技術,輸出頻率為20GHz,輸入頻率為 10GHz,輸入最小電壓振福為 0.1V。

作者:李穎松

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2018年12月24日 星期一

使用 pHEMT 0.15μm 設計 60GHz polyphase filter

Abstract—藉由實作出一個補償式 mixer,來了解 polyphase filter、marchand bulan、次諧波混頻器以及 buffer 的功能以及如何實作。本文針對 polyphase 的原理以及製作詳加介紹。使用 ADS 模擬在 60GHZ 的特性。

作者:黃宗彬

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2018年12月23日 星期日

以 ADS 簡易模擬 Single Balanced Mixer

摘要—本篇論文用 ADS 模擬一個 0.15 um 的製程從30G 降到 0.1G 的混頻器,也包含 ADS 模擬過程的步驟。

作者:鄭國宏

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2018年12月20日 星期四

以 pHEMT 0.15 μm 製程設計 28 GHz 的 Hairpin Filter

Abstract—本文藉由 Advanced Design System 電路模擬軟體與 pHEMT 0.15 μm 製程製造工作於 28 GHz 之帶通濾波器(Band Pass filter),先使用 Parallel-coupled line 方式做出基本濾波器,再使用 Tapping 方式改變輸入與輸出端,最後再將電路彎折成 Hairpin Filter。

作者:蘇政維

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在 pHEMT 0.15 μm 匹配 80 GHz 三級電晶體

摘要—本論文針對 80GHz 低雜訊放大器匹配作介紹,主要分為三部分,第一部分介紹單顆電晶體的特性,第二部分說明匹配方式,最後一部分說明最後結果。

作者:陳仕晉

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2018年12月19日 星期三

利用 pHEMT 0.15 μm製程設計三頻帶通濾波器

摘要—濾波器在整個收發機系統中,占了非常重要的位置,而濾波器又可以依照功能分為四種,分別為低通、高通、帶通和帶阻濾波器,而濾波器又可以利用元件組成也可以利用微帶線去做出濾波器,本篇為避免元件產生寄生效應,選擇利用微帶線去設計一個帶通濾波器,利用彎折微帶線可以大幅地縮小整體電路的尺寸,也可以降低電路的設計難度,利用短線段去實現操作在高頻的濾波器。

作者:陳仕晉

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pHEMT 0.15 μm 製程下設計 77 GHz 二級功率放大器

摘要—本文以 pHEMT 0.15 μm 製程設計一個操作頻率在 77 GHz 下的二級功率放大器,並使用 Advanced Design System(ADS)進行電路模擬及 Layout,最後探討其模擬結果及特性。

作者:塗宗翰

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