以 pHEMT 0.15 μm 製程設計寬頻 180。相移器

摘要：本文使用 pHEMT 0.15 μm 製程設計頻率範圍在 4 GHz 至 16 GHz 之超寬頻 180。相移器。這是一個特別的想法,利用電阻的阻抗差異來進行通過耦合線之路徑選擇,唯此電路缺點是使用了電阻具損耗的元件,在使用製程設計時其饋入損耗就有 4.1dB之多,且電路在 layout 時因電阻尺寸差大多不易擺放,需要再全面調整。第一部分是相移器介紹;第二部分是使用理想電路模擬文章作者所提出的相移器架構;第三部分是使用 pHEMT 0.15 μm 製程模擬所提出相移器,並分析模擬結果。

作者：廖浚翔

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