以 pHEMT 0.15 μm 製程設計雙頻帶通濾波器

摘要：本文使用 pHEMT 0.15 μm 製程設計頻帶在 6.6GHz 與13.2GHz 且頻寬為 15%之微波雙頻帶通濾波器。本文濾波器分析部分使用兩種分析方式,分別為傳輸零點分析與通帶頻率位置分析,進行頻寬與頻帶比之調控以達到設計目標。但頻寬與頻帶比之調控公式稍微複雜,如要求得精確值需使用軟體計算,因此本文設計時依照公式中的變數(傳輸線阻抗值)進行微調以達到設計目標。就最後將設計結果以 ADS 軟體進行電路模擬,並探討模擬結果與特性。

作者：廖浚翔

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以 pHEMT 0.15 μm 製程設計寬頻 180。相移器

摘要：本文使用 pHEMT 0.15 μm 製程設計頻率範圍在 4 GHz 至 16 GHz 之超寬頻 180。相移器。這是一個特別的想法,利用電阻的阻抗差異來進行通過耦合線之路徑選擇,唯此電路缺點是使用了電阻具損耗的元件,在使用製程設計時其饋入損耗就有 4.1dB之多,且電路在 layout 時因電阻尺寸差大多不易擺放,需要再全面調整。第一部分是相移器介紹;第二部分是使用理想電路模擬文章作者所提出的相移器架構;第三部分是使用 pHEMT 0.15 μm 製程模擬所提出相移器,並分析模擬結果。

作者：廖浚翔

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在 0.15 μm 製程下三種頻率 Bias Tee 電路參數與比較

摘要：本篇論文探討在 0.15 um 製程下三種頻率 10 GHz、50 GHz、90 GHz Bias Tee 電路參數與比較,文章主要分為簡介、RF 電路、DC 電路、模擬結果與結論。

作者：鄭宇翔

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pHEMT0.15um 設計 30-50G 增益 20db 以上之 LNA

摘要：使用 pHEMT0.15um 版本為(Rev1.3.14.17.16)之半導體製程計出高平坦度(正負 1db 內),增益 20db 以上,noise figure低於 3db 之 LNA,所選的裝置為根數 4、寬度 50ugw 的電晶體,採用的設計方法是以傳輸線、電容進行匹配,運用 inter stage 的技巧使之平坦,並使用三級,因單級做到 maxgain總是會斜斜的,且窄頻又陡峭,通過多級的方式及反射係數的控制跟 inter stage的概念來實現 50%頻寬且平坦度又好的增益。此電路運用於天文接收機系統之 LNA,整個系統是一個回授系統且包含兩個 LNA。

作者：

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以pHEMT 0.15 μm製程設計28 GHz 之一輸入三埠輸出 Wilkinson Power Divider

摘要：功率分配器在系統中佔了非常重要的角色,其中以威爾金森功率分配器最廣為人知,2^n 輸出埠的功率分配器架構簡單又容易實現,但是現實中可能會用到非 2^n 輸出埠,本文藉由Advanced Design System 電路模擬軟體,對等功率分配器與不等功率分配器做個基本的介紹與比較,並試做以 28GHz 為中心頻率的三埠輸出威爾金森功率分配器,Layout 的模擬結果與理想模擬結果相差不遠,不管是反射係數、損耗係數,三埠輸出功率分配器功率損耗為-5dB,因為三埠輸出需要使用到二階,所以在製成上將電路做彎折來縮小尺寸。

作者：胡宸毓

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使用 pHEMT 0.15μm 設計 Wideband Bandstop Filter With Extreme Sharp Skirt Selectivity

摘要：本論文預期設計一個使用 WIN pHEMT 0.15μm 製成設計的寬頻帶帶通濾波器。此電路的中心頻率欲設在 60GHz,其中帶阻頻帶的頻帶響應,伴隨著多個極點。此濾波器帶阻頻帶邊緣具有非常陡峭的斜率,所以此通帶具有極高的選擇性。從S 參數圖形看上來,形狀看起來像裙擺一樣,所以又被稱為 Sharp Skirt Selectivity。


作者：王致凱

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在 0.15 μm 製程下 Bias Tee 之設計原理與方法

摘要：本篇論文介紹在 0.15 um 製程下 bias tee 的設計原理與方法,文章主要分為五個部分,分別為電路的基本介紹、電路架構、RF 端電路設計、DC 端電路設計以及結論。

作者：鄭宇翔


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